目前，擁有先進(jìn)制程技術(shù)的芯片廠商僅剩臺積電、三星電子和英特爾，其中，臺積電的先進(jìn)制程工藝、市占率遙遙領(lǐng)先，使得三星在近些年一直處于苦苦追趕的狀態(tài)。

三星在10月7日的晶圓代工論壇上表示，2022上半年會推出3nm制程，臺積電的3nm是在2022下半年才會推出。據(jù)悉，三星的3nm將采用環(huán)繞閘極技術(shù)（Gate-All-Around，GAA），臺積電則延用FinFET，2nm制程才會導(dǎo)入GAA技術(shù)。

三星表示，預(yù)計2022年推出第一代3nm的3GAE技術(shù)，2023年推出新一代3GAP技術(shù)，2025年2nm的2GAP制程投產(chǎn)，而臺積電的2nm預(yù)計于2024年推出，早于三星。

三星強調(diào)，與5nm制程相比，三星首顆3nm制程GAA技術(shù)芯片面積將縮小35%，性能提高 30% 或功耗降低 50%。三星表示，3nm良率正在逼近4nm制程。

這樣看來，三星的晶圓代工業(yè)務(wù)有望成為2022年的一個亮點，不至于讓臺積電一枝獨秀。

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