MOSFET工作（啟動(dòng)）時(shí)，漏極和源極間的阻值稱為導(dǎo)通電阻 （RDS(ON)）。數(shù)值越小，工作時(shí)的損耗（功率損耗）越小。

一般MOSFET的芯片尺寸（表面面積）越大，導(dǎo)通電阻越小。封裝尺寸越大可搭載的芯片尺寸就越大，因此導(dǎo)通電阻越小。選擇更大尺寸的封裝，導(dǎo)通電阻會(huì)更小。

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